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dc.contributor.advisorSousa, Regina Lélis de-
dc.contributor.authorCantuaria, Jadson Xavier-
dc.date.accessioned2021-09-21T19:45:23Z-
dc.date.available2021-09-21T19:45:23Z-
dc.date.issued2021-09-21-
dc.identifier.citationCANTUARIA, Jadson Xavier. Estudo das propriedades estruturais e eletrônicas dos cristais de DNTT e DNSS utilizando métodos de primeiros princípios.67f. Monografia (Graduação) - Física Universidade Federal do Tocantins, Araguaína, 2014.pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11612/3121-
dc.description.abstractNão possui Abstract.pt_BR
dc.language.isopt_BRpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal do Tocantinspt_BR
dc.rightsAcesso livrept_BR
dc.subjectLatex.pt_BR
dc.subjectAbntex.pt_BR
dc.subjectEditoração de texto.pt_BR
dc.titleEstudo das propriedades estruturais e eletrônicas dos cristais de DNTT e DNSS utilizando métodos de primeiros princípiospt_BR
dc.typeMonografiapt_BR
dc.description.resumoA área da eletrônica orgânicos nos últimos anos têm ganhado grande atenção da comu- nidade científica devido às possibilidades de aplicações em dispositivos eletrônicos, tais como LEDS (dispositivos emissores de luz), células fotovoltaicas, transistores ou sensores.Dentre as características atrativas destes materiais, destacamos o baixo custo, facilidadede processamento utilizando métodos de química molhada, flexibilidade estrutural e pos- sibilidade de construção de dispositivos com grandes áreas. Entretanto, para se obter dis- positivos eficientes, é fundamental que o semicondutor orgânico empregado como camada ativa tenha alta mobilidade e estabilidade em atmosfera. A construção de dispositivos eficientes tem se mostrado um desafio. Do ponto de vista da modelagem computacional, o problema de estudar esse tipo de material é a complexidade dos cálculos utilizando métodos de primeiros princípios. Metodologias baseadas na Teoria do Funcional da Den- sidade (Density Functional Theory - DFT) tem sido empregadas, mas, nestes casos, não é possível descrever adequadamente as interações de longo alcance com os funcionais de troca e correlação padrões. É imperativo o uso de correções para descrição das forças de van der Waals (vdW) existentes entre as moléculas. No presente trabalho, apresenta- mos resultados para investigações das propriedades estruturais e eletrônicas dos cristais de DNTT (dinafto[2,3-b:2,3-f]thieno[3,2-b]-tiofeno) e DNSS (dinafto[2,3-b:2,3-f]thieno[3,2- b]-selofeno) empregando duas metodologias de correção das forças de van der Waals no funcional de troca e correlação GGA-PBE: uma correção empírica, baseada nos coeficien- tes C6 e uma correção não empírica e não local. Nosso foco é discutir a eficiência e precisão na descrição das propriedades destes dois semicondutores utilizando duas estratégias dis- tintas para descrever as interações de van der Waals. Obtivemos sucesso com as duas correções, entretanto, a correção empírica tem mostrado resultados mais promissores.pt_BR
dc.publisher.campusAraguaínapt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA GERALpt_BR
dc.publisher.cursoCURSO::ARAGUAÍNA::PRESENCIAL::LICENCIATURA::FÍSICApt_BR
dc.publisher.localAraguaínapt_BR
dc.publisher.levelGraduaçãopt_BR
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